中国的军用芯片和光刻机处于世界什么水平_服务器

资料来源：网络整理时间：2023/3/9 3:53:49 共计：3997 浏览

中国的军用芯片和光刻机处于世界什么水平？

我国军用芯片世界一流，光刻机技术世界三流。由于军用芯片只是对可靠性，耐高温性能，耐低温性能要求较高，而对工艺制程要求不像手机芯片那么高。所以说，以我国现有的技术制造出来的芯片，还是挺先进的，与国外没有差距。

我国军用芯片主要有“龙芯，华睿，魂芯”等型号，这些型号是可以实现自给自足的。除了CPU之类的芯片之外，还有一种现在军用电子设备离不开的芯片FPGA（现场可编程门阵列），这种芯片国产的性能与国际先进水平相差较大。而国产的FPGA在国内市场中的份额近占2%，还有98%左右的份额依赖进口。

先来看军用CPU。目前来说，在军用CPU上，国产品牌已经可以替代进口的了。像北斗卫星上使用龙芯处理器，雷达等电子设备使用魂芯2号DSP，华睿2号DSP。其中魂芯2号DSP的运算性能是德州仪器TMS320C6678的3倍，是国际市场上同类DSP的4倍，是魂芯1号的6倍，获得多项国家发明专利。

再来看FPGA类芯片。目前来看，高端FPGA芯片主要被美国的赛灵思公司和阿尔特拉公司所垄断，这两个公司制造的FPGA的工艺制程已经达到16纳米和14纳米的了，拥有9000多项专利，基本上后续者是无法绕开这些专利的，所以才导致很多公司打不开这个市场定位大门。而国内制造FPGA的公司主要有京微雅格，国微电子，智多晶，同创国芯等公司，只不过这些公司的产品工艺制程还徘徊在40纳米，55纳米，与赛灵思和阿尔特拉的产品性能有不小的差距。

再来看国产光刻机。国产光刻机基本上是三流水平，一流ASML，二流尼康和，三流就是我国和佳能了。ASML拥有最先进的EUV光刻机，最小工艺制程节点可以达到3纳米（NXE:3600D）；尼康拥有制造DUV光刻机的实力（NSR-S635E）；佳能和我国的光刻机主要就是低端产品。

国产光刻机最小工艺制程节点就是90纳米基本上可以满足军用芯片的制造。早期F22战斗机的芯片是i906mx，工艺制程为0.15微米，集成了1000万个晶体管，主频仅为66Mhz，后期换成了powerpc603。F35战斗机采用的是PowerpcG4芯片，其主频达到1.67Ghz。可以说，使用国产光刻机可哟保证军用芯片不被卡脖子，但是远远达不到商业化的标准。

因为如今手机使用的芯片工艺制程已经低到5纳米了，90纳米的话相差太远了。不过国产DUV光刻机也将在2021年交付，届时国产光刻机将达到世界二流水平，与尼康公司位于同一水平线上。国产EUV光刻机主要被卡在大功率光源，物镜组，双工件台，光刻胶等方面。不过目前正在对这一系列技术进行攻关，相信国产EUV光刻机会到来的。

由此可知，国产军用芯片的性能达到世界一流水准，但是FPGA类的芯片性能还不够强。国产光刻机也快要追上尼康的水平了。

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