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DDR2和DDR3插槽一样吗_数据库

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资料来源:网络整理       时间:2023/3/7 2:17:26       共计:3748 浏览

DDR2和DDR3插槽一样吗?

插槽是不一样,DDR3比DDR2频率高,速度快,容量大,性能高。DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。

DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限,当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。

既支持DDR2还支持DDR3主板,其中2个是DDR2的插槽,2个是DDR3的插槽,但是不能同时使用2种类型的,只能选择1种。扩展资料:内存改进DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。

而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

封装封装(Packages)DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。

并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。

突发长度突发长度(BL,Burst Length)由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

寻址时序寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。

DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。

降低功耗DDR3内存在达到高带宽的同时,其功耗反而可以降低,其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗,当然发热量我们也不需要担心。

就带宽和功耗之间作个平衡,对比现有的DDR2-800产品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不但内存带宽大幅提升,功耗表现也比上代更好。

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